半導(dǎo)體行業(yè)迎來(lái)復(fù)蘇，美日荷制裁推動(dòng)設(shè)備國(guó)產(chǎn)化
　　2024年半導(dǎo)體行業(yè)逐步進(jìn)入周期上行階段，2025年行業(yè)有望迎來(lái)更快增長(zhǎng)。根據(jù)SEMI預(yù)測(cè)，2024/2025年全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模為983/1128億美元，同比+3%/+15%。2022年起美日荷陸續(xù)發(fā)布對(duì)華設(shè)備出口管制措施，半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化迫在眉睫，而大陸晶圓廠有望逆勢(shì)擴(kuò)張帶動(dòng)設(shè)備資本開(kāi)支。
　　光刻機(jī)是半導(dǎo)體設(shè)備明珠，上游零部件供應(yīng)復(fù)雜且品類(lèi)廣泛
　　光刻機(jī)是半導(dǎo)體制造中最核心的設(shè)備，光刻機(jī)的性能直接決定晶圓產(chǎn)線的制程節(jié)點(diǎn)和產(chǎn)能上限。光刻機(jī)的基本結(jié)構(gòu)由激光器、照明光學(xué)模組、物鏡、晶圓傳輸模組、晶圓掃描模組和掃描刻線模組等組成。我們認(rèn)為光刻機(jī)的核心器件包括激光器、光學(xué)鏡頭和工作臺(tái)等：1）激光器是光刻機(jī)的光源，決定了光刻機(jī)的套刻精度和工藝節(jié)點(diǎn)；2）光學(xué)鏡頭：保證光刻機(jī)光源可以精準(zhǔn)成像在晶圓表面，伴隨光刻機(jī)技術(shù)衍進(jìn)，投影物鏡結(jié)構(gòu)愈加復(fù)雜、尺寸增加；3）工作臺(tái)：2004年ASML將雙工作臺(tái)推廣至TX系列光刻機(jī)，光刻機(jī)產(chǎn)能顯著提升。
　　光刻機(jī)市場(chǎng)阿斯麥一家獨(dú)大，國(guó)產(chǎn)替代迫在眉睫
　　ASML在全球市場(chǎng)中一家獨(dú)大，2023年ASML供給了全球92%的高端光刻機(jī)（ArF、ArFi、EUV）。2023年6月30日荷蘭對(duì)華管制措施落地，2000i以上的光刻機(jī)型號(hào)限制出口。根據(jù)ASML公告，2024年H1對(duì)中國(guó)大陸設(shè)備銷(xiāo)售收入為42.77億歐元，占公司光刻機(jī)銷(xiāo)售收入的49%，同比增長(zhǎng)142%，凸顯大陸晶圓廠對(duì)光刻機(jī)的需求旺盛。目前光刻機(jī)國(guó)產(chǎn)化率幾乎為零，僅上海微電子有90nm工藝節(jié)點(diǎn)的DUV光刻機(jī)產(chǎn)品。
　　光刻機(jī)國(guó)產(chǎn)化曙光已現(xiàn)，65nm節(jié)點(diǎn)光刻機(jī)有望突破
　　近日，工信部發(fā)布《首臺(tái)（套）重大技術(shù)裝備推廣應(yīng)用指導(dǎo)目錄（2024年版）》中的電子專(zhuān)用裝備目錄下，集成電路設(shè)備方向披露一臺(tái)氟化氬光刻機(jī)，屬于DUV光刻機(jī)。光刻機(jī)分辨率≤65nm、套刻≤8nm。若按照套刻精度與量產(chǎn)工藝約1：3的關(guān)系，氟化氬光刻機(jī)有望用于28nm芯片產(chǎn)線中的部分工藝。此外根據(jù)有關(guān)報(bào)道，上海微電子正在進(jìn)行28nm浸沒(méi)式光刻機(jī)樣機(jī)的研發(fā)生產(chǎn)。
　　投資建議
　　在光刻機(jī)關(guān)鍵系統(tǒng)中，建議關(guān)注：福晶科技（光源）；富創(chuàng)精密、新萊應(yīng)材（零部件）；茂萊光學(xué)、波長(zhǎng)光電（光學(xué)鏡頭）；華卓精科（工作臺(tái)、未上市）；上海微電子（光刻機(jī)整機(jī)、未上市）。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示
　　國(guó)際政治動(dòng)蕩和摩擦加劇；國(guó)內(nèi)芯片產(chǎn)能擴(kuò)產(chǎn)不及預(yù)期；設(shè)備國(guó)產(chǎn)化導(dǎo)入不及預(yù)期；上游供應(yīng)鏈發(fā)展不及預(yù)期。