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日本產(chǎn)綜研開發(fā)出微型熱電式氫氣傳感器

    日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所(產(chǎn)綜研)開發(fā)出了可集成于半導(dǎo)體芯片的微型熱電式氫氣傳感器。檢測(cè)范圍(空氣中氫氣的濃度)達(dá)到了0.5ppm~5%之間。用于氫氣站等設(shè)施的泄露檢測(cè)。今后將向有關(guān)機(jī)構(gòu)提供傳感器樣品,力爭(zhēng)將其應(yīng)用于氫氣設(shè)施中。

  該傳感器在熱電轉(zhuǎn)換式MEMS元件上形成了以陶瓷支撐材料的鉑觸媒圖案。與過(guò)去的傳感器相比,更能發(fā)揮鉑觸媒的性能,因而具有良好的靈敏度和耐用性。

  因?yàn)榭諝庵袣涞臐舛纫坏┻_(dá)4%,就會(huì)爆炸,因此氫氣泄露檢測(cè)技術(shù)需要?dú)錃鈧鞲衅髂軌蛟趐pm級(jí)到4%這一最低爆炸極限濃度范圍之間進(jìn)行高精度檢測(cè)。但是,以前的接觸燃燒式和半導(dǎo)體式氫氣傳感器很難在ppm到百分之幾的大范圍內(nèi)進(jìn)行檢測(cè)。

  例如,接觸燃燒式氣體傳感器依靠檢測(cè)信號(hào)傳感器的電阻變化進(jìn)行檢測(cè),因此對(duì)高濃度區(qū)的檢測(cè)比較有效,但在低濃度區(qū)由于靈敏度低,實(shí)際上根本無(wú)法檢測(cè)。具體來(lái)說(shuō),燃燒發(fā)熱導(dǎo)致溫度變化0.01℃時(shí),電阻變化僅為0.004%,實(shí)際上無(wú)法檢測(cè),因此不能當(dāng)作傳感器使用。

  新開發(fā)的熱電式氫氣傳感器由熱電轉(zhuǎn)換膜及其表面上部分形成的鉑觸媒膜組成,氫與觸媒的發(fā)熱反應(yīng)引起的局部溫差,利用熱電轉(zhuǎn)換膜轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)。因而,只要使用高性能的熱電材料就可得到足以完成檢測(cè)任務(wù)的信號(hào)。

  新開發(fā)的傳感器采用的是催化反應(yīng)和熱電轉(zhuǎn)換功能相結(jié)合的工作原理,將元件本身產(chǎn)生的電壓轉(zhuǎn)換成信號(hào),不僅提高了可檢測(cè)濃度范圍,還不易受到外界溫度的影響。采用這種工作原理的氫氣傳感器在NEDO(新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機(jī)構(gòu))開展的產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究扶持項(xiàng)目--“采用熱電氧化物的新型氫氣傳感器的開發(fā)”中已經(jīng)開發(fā)成功,但要想開發(fā)出低成本、高靈敏度的傳感器,還需要為傳感器元件開發(fā)小型化與集成技術(shù),以及微加熱器技術(shù)。

  此次開發(fā)主要解決了在半導(dǎo)體晶圓上形成熱電薄膜、觸媒膜、電極、配線及加熱器的傳感器元件制造技術(shù)。同時(shí),還提高了傳感器的耐用性,降低了生產(chǎn)成本。作為熱電轉(zhuǎn)換元件的關(guān)鍵技術(shù),確立了利用濺射蒸鍍法形成SiGe膜之后進(jìn)行熱處理的薄膜成形技術(shù)。因?yàn)镾iGe熱電轉(zhuǎn)換材料的熱電特性高,非常適宜采用半導(dǎo)體工藝。為了使觸媒不受大氣中水蒸汽的影響而穩(wěn)定地發(fā)揮作用,溫度要維持在100℃。作為維持觸媒溫度的加熱器集成技術(shù),采用MEMS技術(shù)研制出隔熱性很高的微加熱器。將熱電圖、微加熱器、觸媒3個(gè)組成要素集成到了尺寸約為1×2mm2的薄膜上,制成了尺寸為4×4mm2的傳感器芯片。

  在以陶瓷為支撐材料的鉑觸媒耐用性試驗(yàn)中,將新開發(fā)的微型熱電式氫氣傳感器放置在相對(duì)溫度約為65%的室溫環(huán)境中,持續(xù)工作了3個(gè)月,在此期間對(duì)它對(duì)100ppm,1000ppm和1%氫氣濃度的反應(yīng)特性進(jìn)行了測(cè)試。結(jié)果證實(shí),性能十分穩(wěn)定。此次采用普通半導(dǎo)體工藝,就將微型傳感器集成到了硅底板上,因此該公司認(rèn)為,將來(lái)還可集成處理傳感器信號(hào)的電子線路,因此便于小型化,以及通過(guò)量產(chǎn)降低生產(chǎn)成本,實(shí)用潛力很大。


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