我國半導(dǎo)體照明技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展步入快車道

　　 半導(dǎo)體照明(LED)是由第三代半導(dǎo)體材料制作的光源和顯示器件，具有耗電量小、壽命長、無污染、色彩豐富、可控性強等特點，是照明光源及光產(chǎn)業(yè)的一次革命。

　　 從“十五”開始，科技部率先支持了半導(dǎo)體照明技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。2003年，面對照明技術(shù)的革命和新興產(chǎn)業(yè)的巨大潛力，科技部啟動了國家半導(dǎo)體照明工程。通過科技攻關(guān)計劃、863計劃、科技支撐計劃等國家科技計劃，持續(xù)支持半導(dǎo)體照明的技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

　　 我國半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)從無到有，逐步發(fā)展壯大，制約產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級的關(guān)鍵技術(shù)取得重大突破，產(chǎn)業(yè)核心技術(shù)研發(fā)與創(chuàng)新能力快速提高，形成了上游外延芯片、中游器件封裝、下游集成應(yīng)用較為完善的技術(shù)創(chuàng)新鏈和具備較強國際市場競爭力的產(chǎn)業(yè)鏈。

　　 半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)作為我國戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，受到國家層面的高度重視與支持。2009年，為推動我國半導(dǎo)體照明節(jié)能產(chǎn)業(yè)健康有序發(fā)展，促進(jìn)節(jié)能減排，國家發(fā)展改革委、科技部、工業(yè)和信息化部、財政部、住房城鄉(xiāng)建設(shè)部、國家質(zhì)檢總局聯(lián)合印發(fā)了《半導(dǎo)體照明節(jié)能產(chǎn)業(yè)發(fā)展意見》，從國家層面統(tǒng)籌規(guī)劃，穩(wěn)步提升半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展水平。

　　 與此同時，科技部啟動了“十城萬盞”半導(dǎo)體照明應(yīng)用工程試點工作，分兩批批復(fù)了37個“十城萬盞”試點城市，以應(yīng)用促發(fā)展，推動了技術(shù)集成和創(chuàng)新應(yīng)用，促進(jìn)了市場機制和商業(yè)模式的形成。

　　 近年來，我國半導(dǎo)體照明技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展步入快車道，已成為全球發(fā)展最快的國家之一。

　　 科技支撐培育形成了良好的產(chǎn)業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)

　　 目前，我國已建立了完整的研發(fā)體系，初步形成了上游外延材料與芯片制備、中游器件封裝及下游集成應(yīng)用的比較完整的技術(shù)創(chuàng)新鏈。

　　 在國家科技計劃的持續(xù)支持下，促進(jìn)了上下游的實質(zhì)性合作，部分核心關(guān)鍵技術(shù)取得突破。2010年，我國產(chǎn)業(yè)化大功率LED芯片光效超過100lm/W，與國際先進(jìn)水平差距縮小到2～3年;封裝達(dá)到國際先進(jìn)水平(120~130lm/W);在國際上首次推出了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的Si襯底LED芯片，光效超過90lm/W，已實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化;下一代核心技術(shù)方面，我國與國際站在了同一起跑線上，如深紫外LED器件的研發(fā)處于國際領(lǐng)先水平。